GaN 전력 반도체도 수직으로 한계 돌파, 온세미 'vGaN' 양산 준비…최대 3300V까지
본문
발행일: 2025-10-31 11:36:27
온세미가 발표한 vGaN 전력반도체 [사진=온세미]
GaN 전력 반도체도 수직으로 한계를 넘어선다.
온세미는 수직형 질화갈륨(vGaN) 전력반도체 양산 체계를 구축하고 고객사에 샘플링을 시작했다고 30일(현지 시각) 밝혔다.
관련링크
등록된 댓글이 없습니다.
발행일: 2025-10-31 11:36:27
온세미가 발표한 vGaN 전력반도체 [사진=온세미]
GaN 전력 반도체도 수직으로 한계를 넘어선다.
온세미는 수직형 질화갈륨(vGaN) 전력반도체 양산 체계를 구축하고 고객사에 샘플링을 시작했다고 30일(현지 시각) 밝혔다.
등록된 댓글이 없습니다.