SK하이닉스, D램 한계 넘을 30년 미래 기술 제시 …셀 줄이고 게이트 세우고 쌓아올리기
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2025-06-10 12:21:08
IEEE VLSI 심포지엄 2025에 차선용 SK하이닉스 CTO 기조연설 소개 화면 [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스가 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다. 셀을 더 많이 집적하는 4F²와 게이트를 세로로 배열하는 버티컬게이트(VG), 그리고 웨이퍼를 붙이는 본딩 기술까지 총동원해 미세화 한계를 넘어선다는 목표다.
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IEEE VLSI 심포지엄 2025에 차선용 SK하이닉스 CTO 기조연설 소개 화면 [사진=SK하이닉스]
SK하이닉스가 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다. 셀을 더 많이 집적하는 4F²와 게이트를 세로로 배열하는 버티컬게이트(VG), 그리고 웨이퍼를 붙이는 본딩 기술까지 총동원해 미세화 한계를 넘어선다는 목표다.
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